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      DDR內存發展歷程介紹

      發布時間: 2019/5/15 13:43:08 | 781 次閱讀

      (1)DDRSDRAM【雙倍數據率同步動態隨機存取存儲器】

      DDRSDRAM:DoubleDataRateSynchronousDynamicRandomAccessMemory,雙倍數據率同步動態隨機存取存儲器,它是SDRSDRAM的升級版,DDRSDRAM在時鐘周期的上升沿與下降沿各傳輸信號,使得它的數據傳輸速度是SDRSDRAM的兩倍,而且這樣做還不會增加功耗,至于定址與控制信號與SDRSDRAM相同,僅在上升沿傳輸,這是對當時內存控制器的兼容性與性能做的折中。

      DDRSDRAM采用184pin的DIMM插槽,防呆缺口從SDRSDRAM時的兩個變成一個,常見工作電壓2.5V,初代DDR內存的頻率是200MHz,隨后慢慢的誕生了DDR-266、DDR-333和那個時代主流的DDR-400,至于那些運行在500MHz,600MHz、700MHz的都算是超頻條了,DDR內存剛出來的時候只有單通道,后來出現了支持雙通芯片組,讓內存的帶寬直接翻倍,兩根DDR-400內存組成雙通道的話基本上可以滿足FBS800MHz的奔騰4處理器,容量則是從128MB到1GB。

      (2)DDR2SDRAM【DoubleDataRate2】

      DDR2/DDRII(DoubleDataRate2)SDRAM是由JEDEC(電子設備工程聯合委員會)進行開發的新生代內存技術標準,它與上一代DDR內存技術標準的不同就是,雖然同是采用了在時鐘的上升/下降沿同時進行數據傳輸的基本方式,但DDR2內存卻擁有兩倍于上一代DDR內存預讀取能力(即:4bit數據讀預。。換句話說,DDR2內存每個時鐘能夠以4倍外部總線的速度讀/寫數據,并且能夠以內部控制總線4倍的速度運行。

      DDR2的標準電壓下降至1.8V,這使得它較上代產品更為節能,DDR2的頻率從400MHz到1200MHz,當時的主流的是DDR2-800,更高頻率其實都是超頻條,容量從256MB起步4GB,不過4GB的DDR2是很少的,在DDR2時代的末期大多是單條2GB的容量。

      (3)DDR3SDRAM

      DDR3提供了相較于DDR2SDRAM更高的運行效能與更低的電壓,是DDR2SDRAM(同步動態動態隨機存取內存)的后繼者(增加至八倍),也是現時流行的內存產品規格。

      和上一代的DDR2相比,DDR3在許多方面作了新的規范,電壓降低到1.5V,預取從4-bit變成了8-bit,這也是DDR3提升帶寬的關鍵,同樣的頻率DDR3能夠提供兩倍于DDR2的帶寬,此外DDR3還新增了CWD、Reset、ZQ、STR、RASR等技術。

      DDR3內存與DDR2一樣是240PinDIMM接口,不過兩者的防呆缺口位置是不同的,不能混插,常見的容量是512MB到8GB,當然也有單條16GB的DDR3內存,只不過很稀少。頻率方面從800MHz起步,目前比較容量買到的頻率2400MHz,實際上有廠家推出了3100MHz的DDR3內存,只是比較難買得到,支持DDR3內存的平臺有Intel的后期的LGA775主板P35、P45、x38、x48等,LGA1366平臺,LGA115x系列全都支持還有LGA2011的x79,AMD方面AM3、AM3+、FM1、FM2、FM3接口的產品全都支持DDR3。

      (4)DDR4SDRAM

      從DDR到DDR3,每一代DDR技術的內存預取位數都會翻倍,前三者分別是2bit、4bit及8bit,以此達到內存帶寬翻倍的目標,不過DDR4在預取位上保持了DDR3的8bit設計,因為繼續翻倍為16bit預取的難度太大,DDR4轉而提升Bank數量,它使用的是BankGroup(BG)設計,4個Bank作為一個BG組,可自由使用2-4組BG,每個BG都可以獨立操作。使用2組BG的話,每次操作的數據16bit,4組BG則能達到32bit操作,這其實變相提高了預取位寬。

      DDR4相比DDR3的區別有三點:16bit預取機制(DDR3為8bit),同樣內核頻率下理論速度是DDR3的兩倍;更可靠的傳輸規范,數據可靠性進一步提升;工作電壓降為1.2V,更節能。

      DDR4內存的針腳從DDR3的240個提高到了284個,防呆缺口也與DDR3的位置不同,還有一點改變就是DDR4的金手指是中間高兩側低有輕微的曲線,而之前的內存金手指都是平直的,DDR4既在保持與DIMM插槽有足夠的信號接觸面積,也能在移除內存的時候比DDR3更加輕松。


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